S
Sabri Küstür
Guest
- Konu Yazar
- #1
Huawei Mate 90, 238 milyon transistörle öne çıkacak
Huawei, Mate 90 serisinde yeni Kirin işlemciyle Tau Scaling Law ve LogicFolding yaklaşımını telefon tarafına taşımaya hazırlanıyor. İddiaya göre çip, 238 milyon transistör/mm² yoğunluğa çıkacak ve 3 nm sınıfı rakip işlemcilere yakın bir performans hedefleyecek. Bu gelişme, EUV litografi makinelerine erişemeyen Huawei için amiral gemisi telefonlarda yeni bir yol anlamına geliyor. Huawei’nin resmi açıklaması, Tau Scaling yaklaşımının transistörleri küçültmek yerine veri yolunu kısaltmaya odaklandığını gösteriyor. LogicFolding ise çip bileşenlerini düzlemde yaymak yerine üst üste konumlandırıyor. Şirket, bu sayede sinyal gecikmesini azaltmayı ve enerji verimliliğini artırmayı hedefliyor. Mate 60 Pro ile 2023’te Kirin 9000S ve 5G dönüşünü gösteren Huawei, şimdi Mate 90 ile çıtayı daha yukarı taşımak istiyor. Yeni Kirin için yüzde 53,5 daha yüksek transistör yoğunluğu, yüzde 41 performans ve çekirdek verimliliği artışı, ayrıca yüzde 12,7 daha yüksek tepe frekans bilgisi öne çıkıyor. Eşdeğerlik vurgusu önemli Uzun lafın kısası, Huawei burada gerçek bir 3 nm üretim süreci vaat etmiyor. Şirket, mimari ve yığınlama tasarımıyla 3 nm sınıfı etki yaratmayı hedefliyor. Bu nedenle Mate 90, yalnızca yeni bir telefon değil, Huawei’nin yaptırımlar altında geliştirdiği çip stratejisinin ilk büyük tüketici testi olacak.
Huawei Mate 90, 238 milyon transistörle öne çıkacak haberi ilk önce Teknoblog üzerinde yayımlandı.
Kaynak: https://www.teknoblog.com/huawei-mate-90-yeni-kirin-islemciyle-3-nm-sinifina-yaklasacak/
Huawei, Mate 90 serisinde yeni Kirin işlemciyle Tau Scaling Law ve LogicFolding yaklaşımını telefon tarafına taşımaya hazırlanıyor. İddiaya göre çip, 238 milyon transistör/mm² yoğunluğa çıkacak ve 3 nm sınıfı rakip işlemcilere yakın bir performans hedefleyecek. Bu gelişme, EUV litografi makinelerine erişemeyen Huawei için amiral gemisi telefonlarda yeni bir yol anlamına geliyor. Huawei’nin resmi açıklaması, Tau Scaling yaklaşımının transistörleri küçültmek yerine veri yolunu kısaltmaya odaklandığını gösteriyor. LogicFolding ise çip bileşenlerini düzlemde yaymak yerine üst üste konumlandırıyor. Şirket, bu sayede sinyal gecikmesini azaltmayı ve enerji verimliliğini artırmayı hedefliyor. Mate 60 Pro ile 2023’te Kirin 9000S ve 5G dönüşünü gösteren Huawei, şimdi Mate 90 ile çıtayı daha yukarı taşımak istiyor. Yeni Kirin için yüzde 53,5 daha yüksek transistör yoğunluğu, yüzde 41 performans ve çekirdek verimliliği artışı, ayrıca yüzde 12,7 daha yüksek tepe frekans bilgisi öne çıkıyor. Eşdeğerlik vurgusu önemli Uzun lafın kısası, Huawei burada gerçek bir 3 nm üretim süreci vaat etmiyor. Şirket, mimari ve yığınlama tasarımıyla 3 nm sınıfı etki yaratmayı hedefliyor. Bu nedenle Mate 90, yalnızca yeni bir telefon değil, Huawei’nin yaptırımlar altında geliştirdiği çip stratejisinin ilk büyük tüketici testi olacak.
Huawei Mate 90, 238 milyon transistörle öne çıkacak haberi ilk önce Teknoblog üzerinde yayımlandı.
Kaynak: https://www.teknoblog.com/huawei-mate-90-yeni-kirin-islemciyle-3-nm-sinifina-yaklasacak/